• ббб

Відновлювана конструкція для конденсаторів на друкованій платі - поліпропіленові демпферні конденсатори, що використовуються у високовольтних, струмових та імпульсних системах – CRE

Короткий опис:


Деталі продукту

Теги продукту

Пов’язане відео

Відгуки (2)

Ми завжди забезпечуємо вам найсумлінніше обслуговування клієнтів, а також найширший вибір дизайнів і стилів з найкращих матеріалів. Ці зусилля включають доступність індивідуальних дизайнів зі швидким виконанням та відправкою.Плівковий конденсатор для нової енергетичної системи , Конденсатор постійного струму для медичних пристроїв , Конденсатор буферизації енергіїМи не лише забезпечуємо нашим клієнтам високу якість, але й, що набагато важливіше, пропонуємо найкращий сервіс разом із конкурентоспроможною ціною.
Відновлювана конструкція для конденсаторів на друкованій платі - поліпропіленові демпферні конденсатори, що використовуються у високовольтних, струмових та імпульсних системах – деталі CRE:

Технічні дані

Діапазон робочих температур Макс. робоча температура, верхня, макс.: + 85℃ Температура вищої категорії: +85℃ Температура нижчої категорії: -40℃
діапазон ємності 0,1 мкФ~5,6 мкФ
Номінальна напруга

630 В постійного струму~2000 В постійного струму

Кап.тол

±5% (Дж); ±10% (К)

Витримувати напругу

1,5 ун постійного струму/10 с

Коефіцієнт дисипації

tgδ≤0,0005 C≤1 мкФ f=10 кГц

tgδ≤0,001 C≥1 мкФ f=10 кГц

Опір ізоляції

C≤0,33 мкФ RS≥15000 МОм (при 20℃ 100 В постійного струму 60 С)

C>0,33 мкФ RS*C≥5000S (при 20℃ 100 В постійного струму 60S)

Витримувати ударний струм
Тривалість життя

100000 год (Un; Θгаряча точка≤85°C)

Довідковий стандарт

ІЕК 61071; ІЕК 61881; GB/T17702

Застосування

1. IGBT-демпфер, GTO-демпфер

2. Широко використовується в силовому електронному обладнанні, коли пікова напруга, захист від поглинання пікового струму.

Контурний малюнок

图片1

Осьовий конденсатор SMJ-TE
Напруга Un630 В постійного струму; Urms400 В змінного струму; Us 945 В
Ємність (мкФ) L (мм±1) Т (мм±1) H (мм±1) φd (мм) ESR при 100 кГц (мОм) ESL(нГн) dv/dt(В/мкСм) Іпк(А) Irms @25℃ @100 кГц (А)
0,22 32 9.5 17,5 0,8 16 23 300 66 5.3
0,33 32 12 20 1 13 22 200 66 6.5
0,47 32 14,5 22,5 1 11 21 220 103,4 8.3
0,68 32 18 26 1 10 20 180 122,4 9.5
1 37 11 19 1 8 28 150 150 7.6
1.5 37 13.5 21,5 1 7 27 150 225 9.5
2 37 16 24 1.2 6 24 130 260 10.2
2.5 37 18 26 1.2 5.5 25 120 300 10.5
3 37 20 28 1.2 5 30 110 330 10.8
3.3 37 21 29 1.2 4.5 30 110 363 11.2
4 57 27 36,5 1.2 4.2 32 220 880 12.8
4.7 57 28 40,5 1.2 3.8 32 200 940 13.8
5.6 57 31 33,5 1.2 3.5 32 185 1036 13.5
6.8 37 29 41,5 1.2 2.5 28 100 680 13.8
6.8 57 34 46,5 1.2 2.8 30 180 1224 14.2
Напруга Un 1000 В постійного струму; Urm 500 В змінного струму; Us 1500 В
Ємність (мкФ) L (мм±1) Т (мм±1) H (мм±1) φd (мм) ESR при 100 кГц (мОм) ESL(нГн) dv/dt(В/мкСм) Іпк(А) Irms @25℃ @100 кГц (А)
0,15 32 10 17,5 0,8 20 20 1100 165 5.5
0,22 32 12 20 1 15 21 1000 220 7.3
0,33 32 15,5 23 1 13 21 1000 330 8.7
0,47 32 18,5 26 1.2 10 23 1000 470 10.5
0,47 44 14 22 1.2 9 24 900 423 9.5
0,68 32 20 32,5 1.2 7 25 900 612 10.8
0,68 44 17 25 1.2 6 26 800 544 10.2
1 44 21,5 29,5 1.2 5.6 27 900 900 11
1.5 44 26 35,5 1.2 5 29 900 1350 12
1.5 57 21 29 1.2 5 30 700 1050 12.2
2 44 28 40,5 1.2 4.8 30 800 1600 13.2
2 57 24 33,5 1.2 4.8 32 600 1200 12.8
2.2 44 30 42,5 1.2 4.2 32 600 1320 13.8
2.2 57 25 34,5 1.2 4.2 32 500 1100 13.5
2.5 57 25 38 1.2 4 33 500 1250 14.2
3 57 28 40,5 1.2 3.5 34 480 1440 15.6
3.3 57 29,5 42 1.2 3.2 35 450 1485 16,5
3.5 57 30,5 43 1.2 3.2 35 450 1575 17.2
4.7 57 35 50,5 1.2 3 36 420 1974 рік 17.8
5.6 57 38,5 65 1.2 2.8 38 400 2240 18.2
Напруга Un 1200 В постійного струму; Urm 550 В змінного струму; Us 1800 В
Ємність (мкФ) L (мм±1) Т (мм±1) H (мм±1) φd (мм) ESR при 100 кГц (мОм) ESL(нГн) dv/dt(В/мкСм) Іпк(А) Irms @25℃ @100 кГц (А)
0,1 32 8.5 16 0,8 20 20 1300 130 6
0,15 32 10 17,5 1 18 20 1200 180 7.5
0,22 32 13 21 1 15 22 1200 264 8.3
0,33 32 16 24 1 12 23 1200 396 9
0,47 32 17,5 30 1.2 10 23 1200 564 9.5
0,47 44 15 23 1.2 9 26 1100 517 9.8
0,68 32 21,5 34 1.2 8 25 1100 517 10
0,68 44 18,5 26,5 1.2 6 27 1000 680 11.7
1 44 23 31 1.2 5 28 1000 1000 12.4
1.5 44 26,5 39 1.2 5 30 950 1425 13.5
1.5 57 22,5 30,5 1.2 5 29 900 1350 12.6
2 44 29 45 1.2 5 30 800 1600 14.2
2 57 26,5 34,5 1.2 4.8 30 750 1500 13.8
2.2 44 31 47 1.2 4.2 32 800 1760 рік 14,5
2.2 57 27,5 35,5 1.2 4.2 35 700 1540 14,5
3 57 29 44,5 1.2 3.2 37 500 1500 17.2
3.3 57 30,5 46 1.2 3.2 38 450 1485 17.8
4.7 57 38 53,5 1.2 3 38 420 1974 рік 18.2
Напруга Un 1700 В постійного струму; Urm 600 В змінного струму; Us 2550 В
Ємність (мкФ) L (мм±1) Т (мм±1) H (мм±1) φd (мм) ESR при 100 кГц (мОм) ESL(нГн) dv/dt(В/мкСм) Іпк(А) Irms @25℃ @100 кГц (А)
0,1 32 9.5 17,5 0,8 18 25 1300 130 7.5
0,15 32 12 20 1 16 24 1200 180 8.5
0,22 32 15 23 1 15 24 1200 264 9.3
0,33 32 18,5 26,5 1 12 22 1200 396 9.9
0,33 44 13.5 21,5 1.2 12 29 1100 363 10.2
0,47 44 16 24 1.2 9 28 1000 470 11.2
0,68 44 20 28 1.2 8 27 1000 680 11.7
1 44 24 33,5 1.2 5.6 26 900 900 12.4
1 57 19,5 27,5 1.2 6 33 850 850 10.8
1.5 44 28 40,5 1.2 4.8 25 800 1200 13.5
1.5 57 24 32 1.2 5 33 750 1125 13.5
2 44 31,5 47 1.2 4.5 24 750 1500 14.2
2 57 27,5 37 1.2 4.8 32 650 1300 12.8
2.2 44 33,5 49 1.2 4.5 34 700 1540 15.6
2.2 57 29 40 1.2 4.2 32 600 1320 14,5
3 57 31 46,5 1.2 4 30 560 1680 рік 17.2
3.3 57 33 48,5 1.2 3.2 29 500 1650 рік 17.6
4 57 37 52,5 1.2 3 28 450 1800 рік 18.2
Напруга Un 2000 В постійного струму; Urm 700 В змінного струму; Us 3000 В
Ємність (мкФ) L (мм±1) Т (мм±1) H (мм±1) φd (мм) ESR при 100 кГц (мОм) ESL(нГн) dv/dt(В/мкСм) Іпк(А) Irms @25℃ @100 кГц (А)
0,068 32 9 17 0,8 25 23 1500 102 6.9
0,1 32 11.5 19,5 1 18 22 1500 150 8.2
0,1 37 10.5 18,5 1 18 26 1450 145 8
0,22 32 17,5 25,5 1.2 15 21 1400 308 9.1
0,22 37 16 24 1.2 15 25 1300 286 9
0,33 37 20 28 1.2 12 24 1250 412.5 9.5
0,33 44 18 26 1.2 12 30 1200 396 10.2
0,47 44 19,5 32 1.2 10 29 1100 517 12.4
0,68 44 24 36,5 1.2 8 28 1000 680 14.2
0,68 57 18,5 31 1.2 8 27 900 612 14.2
1 57 23,5 36 1.2 6 31 950 950 14,5
1.5 57 29,5 42 1.2 5 31 850 1275 14,5
2 57 33 48,5 1.2 4.2 31 750 1500 16,5
2.2 57 35 50,5 1.2 4 30 700 1540 17.8
Напруга Un 3000 В постійного струму; Urm 750 В змінного струму; Us 4500 В
Ємність (мкФ) L (мм±1) Т (мм±1) H (мм±1) φd (мм) ESR при 100 кГц (мОм) ESL(нГн) dv/dt(В/мкСм) Іпк(А) Irms @25℃ @100 кГц (А)
0,047 44 13.5 21,5 1 22 20 2000 рік 94 8.5
0,068 44 17 25 1 20 20 1800 рік 122,4 10.5
0,1 44 20,5 28,5 1.2 18 20 1500 150 12.4
0,15 44 26 34 1.2 16 22 1350 202,5 13.8
0,22 44 29 41,5 1.2 14,5 22 1200 264 14,5

Відео


Зображення деталей продукту:

Відновлювана конструкція для конденсатора на друкованій платі - поліпропіленові гасительні конденсатори, що використовуються у високовольтних, струмових та імпульсних системах - детальні зображення CRE

Відновлювана конструкція для конденсатора на друкованій платі - поліпропіленові гасительні конденсатори, що використовуються у високовольтних, струмових та імпульсних системах - детальні зображення CRE

Відновлювана конструкція для конденсатора на друкованій платі - поліпропіленові гасительні конденсатори, що використовуються у високовольтних, струмових та імпульсних системах - детальні зображення CRE

Відновлювана конструкція для конденсатора на друкованій платі - поліпропіленові гасительні конденсатори, що використовуються у високовольтних, струмових та імпульсних системах - детальні зображення CRE


Посібник із суміжних продуктів:

Компанія дотримується принципу «Чесність, працьовитість, підприємливість, інновації» для постійної розробки нових продуктів та рішень. Успіх покупців вона розглядає як особистий успіх. Давайте разом створювати процвітаюче майбутнє для відновлюваної конструкції конденсаторів для друкованих плат – поліпропіленових демпферних конденсаторів, що використовуються у високовольтних, високострумових та високоімпульсних застосуваннях – CRE. Продукція постачатиметься по всьому світу, наприклад: Пуерто-Рико, Лос-Анджелес, Лесото. Наша компанія дотримується бізнес-філософії «Якість понад усе, вічна досконалість, орієнтованість на людей, технологічні інновації». Наполегливо працюємо над тим, щоб продовжувати прогрес, впроваджуємо інновації в галузі, докладаємо всіх зусиль для першокласного підприємництва. Ми докладаємо всіх зусиль, щоб побудувати наукову модель управління, отримати багаті кваліфіковані знання, розробити передове виробниче обладнання та виробничі процеси, створити рішення першої необхідності, розумну ціну, високу якість обслуговування, швидку доставку, щоб запропонувати вам створення нової цінності.
  • Гарний постачальник у цій галузі, після детального та ретельного обговорення ми досягли консенсусної угоди. Сподіваємося на безпроблемну співпрацю. 5 зірок Від Ізабель із Севільї - 2017.02.14 13:19
    Проблеми можна швидко та ефективно вирішити, варто довіряти та працювати разом. 5 зірок Від Сандри з Іспанії - 2017.07.07 13:00

    Надішліть нам своє повідомлення:

    Напишіть своє повідомлення тут і надішліть його нам

    Надішліть нам своє повідомлення: