Провідний виробник конденсаторів постійного струму індивідуального дизайну - осьові демпферні конденсатори GTO – CRE

Провідний виробник конденсаторів постійного струму з індивідуальним дизайном - осьові демпферні конденсатори GTO – зображення CRE

Короткий опис:

Надіслати нам електронного листа Завантажити як PDF

Деталі продукту

Теги продукту

Пов’язане відео

Відгуки (2)

Зазвичай ми можемо задовольнити потреби наших шановних клієнтів завдяки нашій чудовій якості, чудовій цінності та якісному постачальнику послуг, оскільки ми є більш спеціалізованими та працьовитими, і робимо це економічно вигідним способом.Індукційний конденсатор для плавильного конденсатора , Високий Dv/Dt стійкий до Gto-демпфера , Конденсаторне рішення для силової електронікиЯкщо вас зацікавив будь-який з наших товарів, будь ласка, не соромтеся звертатися до нас та зробити перший крок до побудови успішних ділових відносин.

Провідний виробник конденсаторів постійного струму з індивідуальним дизайном - осьові демпферні конденсатори GTO – деталі CRE:

Технічні дані

Діапазон робочих температур	Макс. робоча температура, верхня, макс.: + 85℃ Температура вищої категорії: +85℃ Температура нижчої категорії: -40℃
діапазон ємності	0,1 мкФ～5,6 мкФ
Номінальна напруга	630 В постійного струму～2000 В постійного струму
Кап.тол	±5% (Дж); ±10% (К)
Витримувати напругу	1,5 ун постійного струму/10 с
Коефіцієнт дисипації	tgδ≤0,0005 C≤1 мкФ f=10 кГц tgδ≤0,001 C≥1 мкФ f=10 кГц
Опір ізоляції	C≤0,33 мкФ RS≥15000 МОм (при 20℃ 100 В постійного струму 60 С) C＞0,33 мкФ RS*C≥5000S (при 20℃ 100 В постійного струму 60S)
Витримувати ударний струм
Тривалість життя	100000 год (Un; Θгаряча точка≤85°C)
Довідковий стандарт	ІЕК 61071; ІЕК 61881; GB/T17702

Застосування

1. Демпфер IGBT.

2. Широко використовується в силовому електронному обладнанні, коли пікова напруга, захист від поглинання пікового струму.

Контурний малюнок

Осьовий конденсатор SMJ-TE
Напруга		Un630 В постійного струму; Urms400 В змінного струму; Us 945 В

Ємність (мкФ)	L (мм±1)	Т (мм±1)	H (мм±1)	φd (мм)	ESR при 100 кГц (мОм)	ESL(нГн)	dv/dt(В/мкСм)	Іпк(А)	Irms @25℃ @100 кГц (А)
0,22	32	9.5	17,5	0,8	16	23	300	66	5.3
0,33	32	12	20	1	13	22	200	66	6.5
0,47	32	14,5	22,5	1	11	21	220	103,4	8.3
0,68	32	18	26	1	10	20	180	122,4	9.5
1	37	11	19	1	8	28	150	150	7.6
1.5	37	13.5	21,5	1	7	27	150	225	9.5
2	37	16	24	1.2	6	24	130	260	10.2
2.5	37	18	26	1.2	5.5	25	120	300	10.5
3	37	20	28	1.2	5	30	110	330	10.8
3.3	37	21	29	1.2	4.5	30	110	363	11.2
4	57	27	36,5	1.2	4.2	32	220	880	12.8
4.7	57	28	40,5	1.2	3.8	32	200	940	13.8
5.6	57	31	33,5	1.2	3.5	32	185	1036	13.5
6.8	37	29	41,5	1.2	2.5	28	100	680	13.8
6.8	57	34	46,5	1.2	2.8	30	180	1224	14.2

Напруга			Un 1000 В постійного струму; Urm 500 В змінного струму; Us 1500 В
Ємність (мкФ)	L (мм±1)	Т (мм±1)	H (мм±1)	φd (мм)	ESR при 100 кГц (мОм)	ESL(нГн)	dv/dt(В/мкСм)	Іпк(А)	Irms @25℃ @100 кГц (А)
0,15	32	10	17,5	0,8	20	20	1100	165	5.5
0,22	32	12	20	1	15	21	1000	220	7.3
0,33	32	15,5	23	1	13	21	1000	330	8.7
0,47	32	18,5	26	1.2	10	23	1000	470	10.5
0,47	44	14	22	1.2	9	24	900	423	9.5
0,68	32	20	32,5	1.2	7	25	900	612	10.8
0,68	44	17	25	1.2	6	26	800	544	10.2
1	44	21,5	29,5	1.2	5.6	27	900	900	11
1.5	44	26	35,5	1.2	5	29	900	1350	12
1.5	57	21	29	1.2	5	30	700	1050	12.2
2	44	28	40,5	1.2	4.8	30	800	1600	13.2
2	57	24	33,5	1.2	4.8	32	600	1200	12.8
2.2	44	30	42,5	1.2	4.2	32	600	1320	13.8
2.2	57	25	34,5	1.2	4.2	32	500	1100	13.5
2.5	57	25	38	1.2	4	33	500	1250	14.2
3	57	28	40,5	1.2	3.5	34	480	1440	15.6
3.3	57	29,5	42	1.2	3.2	35	450	1485	16,5
3.5	57	30,5	43	1.2	3.2	35	450	1575	17.2
4.7	57	35	50,5	1.2	3	36	420	1974 рік	17.8
5.6	57	38,5	65	1.2	2.8	38	400	2240	18.2

Напруга			Un 1200 В постійного струму; Urm 550 В змінного струму; Us 1800 В
Ємність (мкФ)	L (мм±1)	Т (мм±1)	H (мм±1)	φd (мм)	ESR при 100 кГц (мОм)	ESL(нГн)	dv/dt(В/мкСм)	Іпк(А)	Irms @25℃ @100 кГц (А)
0,1	32	8.5	16	0,8	20	20	1300	130	6
0,15	32	10	17,5	1	18	20	1200	180	7.5
0,22	32	13	21	1	15	22	1200	264	8.3
0,33	32	16	24	1	12	23	1200	396	9
0,47	32	17,5	30	1.2	10	23	1200	564	9.5
0,47	44	15	23	1.2	9	26	1100	517	9.8
0,68	32	21,5	34	1.2	8	25	1100	517	10
0,68	44	18,5	26,5	1.2	6	27	1000	680	11.7
1	44	23	31	1.2	5	28	1000	1000	12.4
1.5	44	26,5	39	1.2	5	30	950	1425	13.5
1.5	57	22,5	30,5	1.2	5	29	900	1350	12.6
2	44	29	45	1.2	5	30	800	1600	14.2
2	57	26,5	34,5	1.2	4.8	30	750	1500	13.8
2.2	44	31	47	1.2	4.2	32	800	1760 рік	14,5
2.2	57	27,5	35,5	1.2	4.2	35	700	1540	14,5
3	57	29	44,5	1.2	3.2	37	500	1500	17.2
3.3	57	30,5	46	1.2	3.2	38	450	1485	17.8
4.7	57	38	53,5	1.2	3	38	420	1974 рік	18.2

Напруга			Un 1700 В постійного струму; Urm 600 В змінного струму; Us 2550 В
Ємність (мкФ)	L (мм±1)	Т (мм±1)	H (мм±1)	φd (мм)	ESR при 100 кГц (мОм)	ESL(нГн)	dv/dt(В/мкСм)	Іпк(А)	Irms @25℃ @100 кГц (А)
0,1	32	9.5	17,5	0,8	18	25	1300	130	7.5
0,15	32	12	20	1	16	24	1200	180	8.5
0,22	32	15	23	1	15	24	1200	264	9.3
0,33	32	18,5	26,5	1	12	22	1200	396	9.9
0,33	44	13.5	21,5	1.2	12	29	1100	363	10.2
0,47	44	16	24	1.2	9	28	1000	470	11.2
0,68	44	20	28	1.2	8	27	1000	680	11.7
1	44	24	33,5	1.2	5.6	26	900	900	12.4
1	57	19,5	27,5	1.2	6	33	850	850	10.8
1.5	44	28	40,5	1.2	4.8	25	800	1200	13.5
1.5	57	24	32	1.2	5	33	750	1125	13.5
2	44	31,5	47	1.2	4.5	24	750	1500	14.2
2	57	27,5	37	1.2	4.8	32	650	1300	12.8
2.2	44	33,5	49	1.2	4.5	34	700	1540	15.6
2.2	57	29	40	1.2	4.2	32	600	1320	14,5
3	57	31	46,5	1.2	4	30	560	1680 рік	17.2
3.3	57	33	48,5	1.2	3.2	29	500	1650 рік	17.6
4	57	37	52,5	1.2	3	28	450	1800 рік	18.2

Напруга			Un 2000 В постійного струму; Urm 700 В змінного струму; Us 3000 В
Ємність (мкФ)	L (мм±1)	Т (мм±1)	H (мм±1)	φd (мм)	ESR при 100 кГц (мОм)	ESL(нГн)	dv/dt(В/мкСм)	Іпк(А)	Irms @25℃ @100 кГц (А)
0,068	32	9	17	0,8	25	23	1500	102	6.9
0,1	32	11.5	19,5	1	18	22	1500	150	8.2
0,1	37	10.5	18,5	1	18	26	1450	145	8
0,22	32	17,5	25,5	1.2	15	21	1400	308	9.1
0,22	37	16	24	1.2	15	25	1300	286	9
0,33	37	20	28	1.2	12	24	1250	412.5	9.5
0,33	44	18	26	1.2	12	30	1200	396	10.2
0,47	44	19,5	32	1.2	10	29	1100	517	12.4
0,68	44	24	36,5	1.2	8	28	1000	680	14.2
0,68	57	18,5	31	1.2	8	27	900	612	14.2
1	57	23,5	36	1.2	6	31	950	950	14,5
1.5	57	29,5	42	1.2	5	31	850	1275	14,5
2	57	33	48,5	1.2	4.2	31	750	1500	16,5
2.2	57	35	50,5	1.2	4	30	700	1540	17.8

Напруга			Un 3000 В постійного струму; Urm 750 В змінного струму; Us 4500 В
Ємність (мкФ)	L (мм±1)	Т (мм±1)	H (мм±1)	φd (мм)	ESR при 100 кГц (мОм)	ESL(нГн)	dv/dt(В/мкСм)	Іпк(А)	Irms @25℃ @100 кГц (А)
0,047	44	13.5	21,5	1	22	20	2000 рік	94	8.5
0,068	44	17	25	1	20	20	1800 рік	122,4	10.5
0,1	44	20,5	28,5	1.2	18	20	1500	150	12.4
0,15	44	26	34	1.2	16	22	1350	202,5	13.8
0,22	44	29	41,5	1.2	14,5	22	1200	264	14,5

Зображення деталей продукту:

Посібник із суміжних продуктів:

Наша компанія зосереджена на стратегії бренду. Задоволення клієнтів – наша найкраща реклама. Ми також надаємо послуги OEM-виробника провідного виробника конденсаторів постійного струму з індивідуальним дизайном – осьових демпферних конденсаторів GTO – CRE. Продукт постачатиметься по всьому світу, наприклад: до В'єтнаму, Берліна, Нідерландів. Нашими перевагами є інновації, гнучкість та надійність, які були побудовані протягом останніх 20 років. Ми зосереджуємося на наданні послуг для наших клієнтів як ключовому елементу зміцнення наших довгострокових відносин. Постійна наявність високоякісної продукції в поєднанні з нашим відмінним допродажним та післяпродажним обслуговуванням забезпечує високу конкурентоспроможність на дедалі глобалізованішому ринку.

Конденсатор Axil Snubber

Конденсатор для корекції коефіцієнта потужності

Автомобільний конденсатор

Резонансний конденсатор, виготовлений на замовлення

Конденсатор постійного струму в залізничній тязі

Високовольтний плівковий конденсатор

Промисловий інверторний конденсатор

Промисловий конденсатор

Професійне рішення для конденсаторів

Самовідновлювальний конденсатор

Цей виробник може постійно вдосконалювати та покращувати свою продукцію та послуги, він відповідає правилам ринкової конкуренції, є конкурентоспроможною компанією.

Від Карла з Сіетла - 18 лютого 2017 р., 15:54

Завод має сучасне обладнання, досвідчений персонал та хороший рівень управління, тому якість продукції гарантована, ця співпраця дуже розслаблена та щаслива!

Від Ейлін з Орландо - 31.10.2018 10:02