E-mail: info@cre-elec.com
English
  • bbb

18-річний заводський силовий конденсатор постійного струму – осьові демпферні конденсатори GTO – CRE

18-річний заводський силовий конденсатор постійного струму – осьові демпферні конденсатори GTO – представлене зображення CRE
  • 18-річний заводський силовий конденсатор постійного струму – осьові демпферні конденсатори GTO – CRE
  • 18-річний заводський силовий конденсатор постійного струму – осьові демпферні конденсатори GTO – CRE
  • 18-річний заводський силовий конденсатор постійного струму – осьові демпферні конденсатори GTO – CRE

Короткий опис:


Завантажити як PDF

Деталі продукту

Теги товарів

Пов'язане відео

Відгук (2)

Наша фірма прагне сумлінно працювати, обслуговувати всіх наших споживачів і постійно працювати з новою технологією та новою машиною дляСпеціально розроблений плівковий конденсатор , Спеціальний плівковий конденсатор , Конденсатори в автомобільних додатках, Ми щиро вітаємо закордонних клієнтів для консультацій щодо довгострокової співпраці та спільного розвитку. Ми твердо віримо, що можемо робити все краще і краще.
18 Years Factory Dc Power Capacitor - Axial GTO демпферні конденсатори - CRE Деталі:

Технічні дані

Діапазон робочих температур Макс. Робоча температура. Верхня, макс.: + 85 ℃ Температура верхньої категорії: +85 ℃ Температура нижньої категорії: -40 ℃
діапазон ємності 0,1 мкФ ~ 5,6 мкФ
Номінальна напруга

630В.DC～2000В.DC
Кап.тол

±5%(J);±10%(K)
Витримує напругу

1.5Un DC/10S
Коефіцієнт дисипації

tgδ≤0,0005 C≤1μF f=10KHz

tgδ≤0,001 C≥1μF f=10KHz
Опір ізоляції

C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (при 20℃ 100V.DC 60S)

C＞0,33μF RS*C≥5000S (при 20℃ 100V.DC 60S)
Витримує ударний струм
Ймовірна тривалість життя

100000 год (Un; Θгаряча точка≤85°C)
Еталонний стандарт

IEC 61071; IEC 61881; GB/T17702

застосування

1. Демпфер IGBT.

2. Широко використовується в енергетичному електронному обладнанні, коли пік напруги, захист від поглинання пікового струму.

Контурний малюнок

 

1

 

 

 

 

Осьовий конденсатор SMJ-TE
Напруга Un630V.DC;Urms400Vac;Us 945V
Ємність (мкФ) L (мм±1) T (мм±1) H (мм±1) φd (мм) ESR при 100 кГц (мОм) ESL (nH) dv/dt(В/мкс) Ipk(A) Irms @25℃ @100KHz (A)
0,22 32 9.5 17.5 0,8 16 23 300 66 5.3
0,33 32 12 20 1 13 22 200 66 6.5
0,47 32 14.5 22.5 1 11 21 220 103.4 8.3
0,68 32 18 26 1 10 20 180 122.4 9.5
1 37 11 19 1 8 28 150 150 7.6
1.5 37 13.5 21.5 1 7 27 150 225 9.5
2 37 16 24 1.2 6 24 130 260 10.2
2.5 37 18 26 1.2 5.5 25 120 300 10.5
3 37 20 28 1.2 5 30 110 330 10.8
3.3 37 21 29 1.2 4.5 30 110 363 11.2
4 57 27 36.5 1.2 4.2 32 220 880 12.8
4.7 57 28 40.5 1.2 3.8 32 200 940 13.8
5.6 57 31 33.5 1.2 3.5 32 185 1036 13.5
6.8 37 29 41.5 1.2 2.5 28 100 680 13.8
6.8 57 34 46.5 1.2 2.8 30 180 1224 14.2

 

Напруга Un 1000V.DC;Urms 500Vac;Us 1500V
Ємність (мкФ) L (мм±1) T (мм±1) H (мм±1) φd (мм) ESR при 100 кГц (мОм) ESL (nH) dv/dt(В/мкс) Ipk(A) Irms @25℃ @100KHz (A)
0,15 32 10 17.5 0,8 20 20 1100 165 5.5
0,22 32 12 20 1 15 21 1000 220 7.3
0,33 32 15.5 23 1 13 21 1000 330 8.7
0,47 32 18.5 26 1.2 10 23 1000 470 10.5
0,47 44 14 22 1.2 9 24 900 423 9.5
0,68 32 20 32.5 1.2 7 25 900 612 10.8
0,68 44 17 25 1.2 6 26 800 544 10.2
1 44 21.5 29.5 1.2 5.6 27 900 900 11
1.5 44 26 35.5 1.2 5 29 900 1350 12
1.5 57 21 29 1.2 5 30 700 1050 12.2
2 44 28 40.5 1.2 4.8 30 800 1600 13.2
2 57 24 33.5 1.2 4.8 32 600 1200 12.8
2.2 44 30 42.5 1.2 4.2 32 600 1320 13.8
2.2 57 25 34.5 1.2 4.2 32 500 1100 13.5
2.5 57 25 38 1.2 4 33 500 1250 14.2
3 57 28 40.5 1.2 3.5 34 480 1440 15.6
3.3 57 29.5 42 1.2 3.2 35 450 1485 рік 16.5
3.5 57 30.5 43 1.2 3.2 35 450 1575 рік 17.2
4.7 57 35 50.5 1.2 3 36 420 1974 рік 17.8
5.6 57 38.5 65 1.2 2.8 38 400 2240 18.2

 

Напруга Un 1200V.DC;Urms 550Vac;Us 1800V
Ємність (мкФ) L (мм±1) T (мм±1) H (мм±1) φd (мм) ESR при 100 кГц (мОм) ESL (nH) dv/dt(В/мкс) Ipk(A) Irms @25℃ @100KHz (A)
0,1 32 8.5 16 0,8 20 20 1300 130 6
0,15 32 10 17.5 1 18 20 1200 180 7.5
0,22 32 13 21 1 15 22 1200 264 8.3
0,33 32 16 24 1 12 23 1200 396 9
0,47 32 17.5 30 1.2 10 23 1200 564 9.5
0,47 44 15 23 1.2 9 26 1100 517 9.8
0,68 32 21.5 34 1.2 8 25 1100 517 10
0,68 44 18.5 26.5 1.2 6 27 1000 680 11.7
1 44 23 31 1.2 5 28 1000 1000 12.4
1.5 44 26.5 39 1.2 5 30 950 1425 13.5
1.5 57 22.5 30.5 1.2 5 29 900 1350 12.6
2 44 29 45 1.2 5 30 800 1600 14.2
2 57 26.5 34.5 1.2 4.8 30 750 1500 13.8
2.2 44 31 47 1.2 4.2 32 800 1760 рік 14.5
2.2 57 27.5 35.5 1.2 4.2 35 700 1540 14.5
3 57 29 44.5 1.2 3.2 37 500 1500 17.2
3.3 57 30.5 46 1.2 3.2 38 450 1485 рік 17.8
4.7 57 38 53.5 1.2 3 38 420 1974 рік 18.2

 

Напруга Un 1700V.DC;Urms 600Vac;Us 2550V
Ємність (мкФ) L (мм±1) T (мм±1) H (мм±1) φd (мм) ESR при 100 кГц (мОм) ESL (nH) dv/dt(В/мкс) Ipk(A) Irms @25℃ @100KHz (A)
0,1 32 9.5 17.5 0,8 18 25 1300 130 7.5
0,15 32 12 20 1 16 24 1200 180 8.5
0,22 32 15 23 1 15 24 1200 264 9.3
0,33 32 18.5 26.5 1 12 22 1200 396 9.9
0,33 44 13.5 21.5 1.2 12 29 1100 363 10.2
0,47 44 16 24 1.2 9 28 1000 470 11.2
0,68 44 20 28 1.2 8 27 1000 680 11.7
1 44 24 33.5 1.2 5.6 26 900 900 12.4
1 57 19.5 27.5 1.2 6 33 850 850 10.8
1.5 44 28 40.5 1.2 4.8 25 800 1200 13.5
1.5 57 24 32 1.2 5 33 750 1125 13.5
2 44 31.5 47 1.2 4.5 24 750 1500 14.2
2 57 27.5 37 1.2 4.8 32 650 1300 12.8
2.2 44 33.5 49 1.2 4.5 34 700 1540 15.6
2.2 57 29 40 1.2 4.2 32 600 1320 14.5
3 57 31 46.5 1.2 4 30 560 1680 рік 17.2
3.3 57 33 48.5 1.2 3.2 29 500 1650 рік 17.6
4 57 37 52.5 1.2 3 28 450 1800 рік 18.2

 

Напруга Un 2000V.DC;Urms 700Vac;Us 3000V
Ємність (мкФ) L (мм±1) T (мм±1) H (мм±1) φd (мм) ESR при 100 кГц (мОм) ESL (nH) dv/dt(В/мкс) Ipk(A) Irms @25℃ @100KHz (A)
0,068 32 9 17 0,8 25 23 1500 102 6.9
0,1 32 11.5 19.5 1 18 22 1500 150 8.2
0,1 37 10.5 18.5 1 18 26 1450 145 8
0,22 32 17.5 25.5 1.2 15 21 1400 308 9.1
0,22 37 16 24 1.2 15 25 1300 286 9
0,33 37 20 28 1.2 12 24 1250 412.5 9.5
0,33 44 18 26 1.2 12 30 1200 396 10.2
0,47 44 19.5 32 1.2 10 29 1100 517 12.4
0,68 44 24 36.5 1.2 8 28 1000 680 14.2
0,68 57 18.5 31 1.2 8 27 900 612 14.2
1 57 23.5 36 1.2 6 31 950 950 14.5
1.5 57 29.5 42 1.2 5 31 850 1275 14.5
2 57 33 48.5 1.2 4.2 31 750 1500 16.5
2.2 57 35 50.5 1.2 4 30 700 1540 17.8

 

Напруга Un 3000V.DC;Urms 750Vac;Us 4500V
Ємність (мкФ) L (мм±1) T (мм±1) H (мм±1) φd (мм) ESR при 100 кГц (мОм) ESL (nH) dv/dt(В/мкс) Ipk(A) Irms @25℃ @100KHz (A)
0,047 44 13.5 21.5 1 22 20 2000 рік 94 8.5
0,068 44 17 25 1 20 20 1800 рік 122.4 10.5
0,1 44 20.5 28.5 1.2 18 20 1500 150 12.4
0,15 44 26 34 1.2 16 22 1350 202.5 13.8
0,22 44 29 41.5 1.2 14.5 22 1200 264 14.5
Зображення деталей продукту:

18 Years Factory Dc Power Capacitor - Аксіальні демпферні конденсатори GTO - детальні зображення CRE

18 Years Factory Dc Power Capacitor - Аксіальні демпферні конденсатори GTO - детальні зображення CRE

18 Years Factory Dc Power Capacitor - Аксіальні демпферні конденсатори GTO - детальні зображення CRE

Посібник із відповідного продукту:
Ми завжди віримо, що характер людини вирішує якість продукції, деталі вирішують якість продукції, з РЕАЛІСТИЧНИМ, ЕФЕКТИВНИМ ТА ІННОВАЦІЙНИМ командним духом протягом 18 років Factory Dc Power Capacitor - Axial GTO snubber capacitors - CRE , Продукт постачатиметься по всьому світу світу, наприклад: Панама, Нігерія, Вашингтон. Наші продукти широко визнані та довіряють користувачам і можуть задовольняти економічні та соціальні потреби, що постійно розвиваються.Ми вітаємо нових і старих клієнтів з усіх верств суспільства, щоб зв’язатися з нами для майбутніх ділових відносин і досягнення спільного успіху!
    • Висока якість, висока ефективність, креативність і чесність, варто мати довгострокову співпрацю!Сподіваємось на подальшу співпрацю! 5 зірок Джуді з Сенегалу - 27.07.2018 12:26
    Це авторитетна компанія, у них високий рівень управління бізнесом, якісні продукти та послуги, ми впевнені та раді кожному співробітництву! 5 зірок Джулі з Грузії - 2018.02.08 16:45

    Надішліть нам своє повідомлення:

    Напишіть своє повідомлення тут і надішліть його нам

    Категорії товарів

    Надішліть нам своє повідомлення: