Китайська фабрика та постачальники осьових демпферних конденсаторів SMJ-TE відповідають ROHS і REACH |CRE

Аксіальний демпферний конденсатор SMJ-TE, сумісний із ROHS і REACH

Аксіальний демпферний конденсатор SMJ-TE відповідає вимогам ROHS і REACH.

Короткий опис:

Демпферний конденсатор
Серія демпферних конденсаторів IGBT CRE відповідає вимогам ROHS і REACH.

1. Вогнезахисні характеристики

2. Пластиковий корпус або корпус із майларової стрічки

3. торець заповнений епоксидною смолою

4. Відповідати UL94

5. Доступний індивідуальний дизайн

Надішліть нам електронний лист Завантажити як PDF

Деталі продукту

Теги товарів

Серія SMJ-TE

Демпферний конденсатор з металізованої поліпропіленової плівки

Елементи демпферного конденсатора, що самовідновлюються, сухого типу, виготовлені з використанням спеціально профільованої металізованої ПП-плівки з хвилями, яка забезпечує низьку самоіндуктивність, високу стійкість до розриву та високу надійність.Відключення через надлишковий тиск не вважається необхідним.Верхня частина конденсатора запечатана самозатухаючою екологічною епоксидною смолою.Спеціальна конструкція забезпечує дуже низьку самоіндуктивність.

Таблиця специфікацій

Осьовий конденсатор SMJ-TE
Напруга		Un630V.DC;Urms400Vac;Us 945V
Ємність (мкФ)	L (мм±1)	T (мм±1)	H (мм±1)	φd (мм)	ESR при 100 кГц (мОм)	ESL (nH)	dv/dt(В/мкс)	Ipk(A)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0,22	32	9.5	17.5	0,8	16	23	300	66	5.3
0,33	32	12	20	1	13	22	200	66	6.5
0,47	32	14.5	22.5	1	11	21	220	103.4	8.3
0,68	32	18	26	1	10	20	180	122.4	9.5
1	37	11	19	1	8	28	150	150	7.6
1.5	37	13.5	21.5	1	7	27	150	225	9.5
2	37	16	24	1.2	6	24	130	260	10.2
2.5	37	18	26	1.2	5.5	25	120	300	10.5
3	37	20	28	1.2	5	30	110	330	10.8
3.3	37	21	29	1.2	4.5	30	110	363	11.2
4	57	27	36.5	1.2	4.2	32	220	880	12.8
4.7	57	28	40.5	1.2	3.8	32	200	940	13.8
5.6	57	31	33.5	1.2	3.5	32	185	1036	13.5
6.8	37	29	41.5	1.2	2.5	28	100	680	13.8
6.8	57	34	46.5	1.2	2.8	30	180	1224	14.2
Напруга		Un 1000V.DC;Urms 500Vac;Us 1500V
Ємність (мкФ)	L (мм±1)	T (мм±1)	H (мм±1)	φd (мм)	ESR при 100 кГц (мОм)	ESL (nH)	dv/dt(В/мкс)	Ipk(A)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0,15	32	10	17.5	0,8	20	20	1100	165	5.5
0,22	32	12	20	1	15	21	1000	220	7.3
0,33	32	15.5	23	1	13	21	1000	330	8.7
0,47	32	18.5	26	1.2	10	23	1000	470	10.5
0,47	44	14	22	1.2	9	24	900	423	9.5
0,68	32	20	32.5	1.2	7	25	900	612	10.8
0,68	44	17	25	1.2	6	26	800	544	10.2
1	44	21.5	29.5	1.2	5.6	27	900	900	11
1.5	44	26	35.5	1.2	5	29	900	1350	12
1.5	57	21	29	1.2	5	30	700	1050	12.2
2	44	28	40.5	1.2	4.8	30	800	1600	13.2
2	57	24	33.5	1.2	4.8	32	600	1200	12.8
2.2	44	30	42.5	1.2	4.2	32	600	1320	13.8
2.2	57	25	34.5	1.2	4.2	32	500	1100	13.5
2.5	57	25	38	1.2	4	33	500	1250	14.2
3	57	28	40.5	1.2	3.5	34	480	1440	15.6
3.3	57	29.5	42	1.2	3.2	35	450	1485 рік	16.5
3.5	57	30.5	43	1.2	3.2	35	450	1575 рік	17.2
4.7	57	35	50.5	1.2	3	36	420	1974 рік	17.8
5.6	57	38.5	65	1.2	2.8	38	400	2240	18.2
Напруга		Un 1200V.DC;Urms 550Vac;Us 1800V
Ємність (мкФ)	L (мм±1)	T (мм±1)	H (мм±1)	φd (мм)	ESR при 100 кГц (мОм)	ESL (nH)	dv/dt(В/мкс)	Ipk(A)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0,1	32	8.5	16	0,8	20	20	1300	130	6
0,15	32	10	17.5	1	18	20	1200	180	7.5
0,22	32	13	21	1	15	22	1200	264	8.3
0,33	32	16	24	1	12	23	1200	396	9
0,47	32	17.5	30	1.2	10	23	1200	564	9.5
0,47	44	15	23	1.2	9	26	1100	517	9.8
0,68	32	21.5	34	1.2	8	25	1100	517	10
0,68	44	18.5	26.5	1.2	6	27	1000	680	11.7
1	44	23	31	1.2	5	28	1000	1000	12.4
1.5	44	26.5	39	1.2	5	30	950	1425	13.5
1.5	57	22.5	30.5	1.2	5	29	900	1350	12.6
2	44	29	45	1.2	5	30	800	1600	14.2
2	57	26.5	34.5	1.2	4.8	30	750	1500	13.8
2.2	44	31	47	1.2	4.2	32	800	1760 рік	14.5
2.2	57	27.5	35.5	1.2	4.2	35	700	1540	14.5
3	57	29	44.5	1.2	3.2	37	500	1500	17.2
3.3	57	30.5	46	1.2	3.2	38	450	1485 рік	17.8
4.7	57	38	53.5	1.2	3	38	420	1974 рік	18.2
Напруга		Un 1700V.DC;Urms 600Vac;Us 2550V
Ємність (мкФ)	L (мм±1)	T (мм±1)	H (мм±1)	φd (мм)	ESR при 100 кГц (мОм)	ESL (nH)	dv/dt(В/мкс)	Ipk(A)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0,1	32	9.5	17.5	0,8	18	25	1300	130	7.5
0,15	32	12	20	1	16	24	1200	180	8.5
0,22	32	15	23	1	15	24	1200	264	9.3
0,33	32	18.5	26.5	1	12	22	1200	396	9.9
0,33	44	13.5	21.5	1.2	12	29	1100	363	10.2
0,47	44	16	24	1.2	9	28	1000	470	11.2
0,68	44	20	28	1.2	8	27	1000	680	11.7
1	44	24	33.5	1.2	5.6	26	900	900	12.4
1	57	19.5	27.5	1.2	6	33	850	850	10.8
1.5	44	28	40.5	1.2	4.8	25	800	1200	13.5
1.5	57	24	32	1.2	5	33	750	1125	13.5
2	44	31.5	47	1.2	4.5	24	750	1500	14.2
2	57	27.5	37	1.2	4.8	32	650	1300	12.8
2.2	44	33.5	49	1.2	4.5	34	700	1540	15.6
2.2	57	29	40	1.2	4.2	32	600	1320	14.5
3	57	31	46.5	1.2	4	30	560	1680 рік	17.2
3.3	57	33	48.5	1.2	3.2	29	500	1650 рік	17.6
4	57	37	52.5	1.2	3	28	450	1800 рік	18.2
Напруга		Un 2000V.DC;Urms 700Vac;Us 3000V
Ємність (мкФ)	L (мм±1)	T (мм±1)	H (мм±1)	φd (мм)	ESR при 100 кГц (мОм)	ESL (nH)	dv/dt(В/мкс)	Ipk(A)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0,068	32	9	17	0,8	25	23	1500	102	6.9
0,1	32	11.5	19.5	1	18	22	1500	150	8.2
0,1	37	10.5	18.5	1	18	26	1450	145	8
0,22	32	17.5	25.5	1.2	15	21	1400	308	9.1
0,22	37	16	24	1.2	15	25	1300	286	9
0,33	37	20	28	1.2	12	24	1250	412.5	9.5
0,33	44	18	26	1.2	12	30	1200	396	10.2
0,47	44	19.5	32	1.2	10	29	1100	517	12.4
0,68	44	24	36.5	1.2	8	28	1000	680	14.2
0,68	57	18.5	31	1.2	8	27	900	612	14.2
1	57	23.5	36	1.2	6	31	950	950	14.5
1.5	57	29.5	42	1.2	5	31	850	1275	14.5
2	57	33	48.5	1.2	4.2	31	750	1500	16.5
2.2	57	35	50.5	1.2	4	30	700	1540	17.8
Напруга		Un 3000V.DC;Urms 750Vac;Us 4500V
Ємність (мкФ)	L (мм±1)	T (мм±1)	H (мм±1)	φd (мм)	ESR при 100 кГц (мОм)	ESL (nH)	dv/dt(В/мкс)	Ipk(A)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0,047	44	13.5	21.5	1	22	20	2000 рік	94	8.5
0,068	44	17	25	1	20	20	1800 рік	122.4	10.5
0,1	44	20.5	28.5	1.2	18	20	1500	150	12.4
0,15	44	26	34	1.2	16	22	1350	202.5	13.8
0,22	44	29	41.5	1.2	14.5	22	1200	264	14.5