Високоефективний резонансний комутований конденсатор

Рекомендоване зображення високоефективного резонансного комутованого конденсатора

Короткий опис:

Конденсатори серії RMJ-MT розроблені для резонансного контуру високої потужності та використовують діелектрик із поліпропіленової плівки з низькими втратами.

Це ідеальне рішення для резонансних конденсаторів змінного струму для низької напруги та високої частоти.

Надішліть нам електронний лист Завантажити як PDF

Деталі продукту

Теги товарів

Технічні дані

Діапазон робочих температур	Макс. Робоча температура. Верхня, макс.: +90 ℃ Температура верхньої категорії: +85 ℃ Температура нижньої категорії: -40 ℃
діапазон ємності	1мкФ～8мкФ
Номінальна напруга	1200В.DC～4000В.DC
Кап.тол	±5%(J);±10%(K)
Витримує напругу	1,5Un /10S
Коефіцієнт дисипації	tgδ≤0,001 f=1 кГц
Опір ізоляції	RS*C≥5000S (при 20℃ 100V.DC 60S)
Ймовірна тривалість життя	100000 год (Un; Θгаряча точка≤85°C)
Еталонний стандарт	IEC 61071; IEC 60110

Особливість

1. Пакет майларової стрічки, запечатаний смолою, робить легким;
2. Виводи з мідної гайки, малий розмір, легка установка;
3. низькі ШОЕ та ШОЕ;
4. Високий імпульсний струм;
5. Потужність струму високої частоти.

застосування

1. Широко використовується в енергетичних електронних пристроях у послідовному / паралельному резонансному контурі.

2. Зварювання, джерела живлення, резонанс обладнання для індукційного нагріву.

Контурний малюнок

Напруга	Un 1200V.DC Urms 500V.AC Uppeak 710V
Cn(мкФ)	φD (мм)	L (мм)	ESR при 100 кГц (мОм))	ESL (nH)	dv/dt(В/мкс)	Ipk(A)	Irms (40 ℃ при 100 кГц)	Qn (кВар)
1	38	40	4.8	27	900	900	35	15.8
1.5	46	40	3.2	25	800	1200	45	20.3
2	53	40	2.4	25	750	1500	50	22.5
2	38	47	2.4	28	720	1440	33	14.9
3	64	40	1.6	23	680	2040 рік	60	27,0
3	45	47	2.1	27	620	1860 рік	40	18.0
4	52	47	1.6	26	550	2200	45	20.3
5	58	47	1.3	25	500	2500	53	23.9
6	63	47	1.1	23	450	2700	58	26.1
7	68	47	0,9	22	450	3150	60	27,0
8	73	47	0,8	20	400	3200	65	29.3

Напруга	Un 2000V.DC Urms 750V.AC Uppeak 1050V
Cn(мкФ)	φD (мм)	L (мм)	ESR при 100 кГц (мОм))	ESL (nH)	dv/dt(В/мкс)	Ipk(A)	Irms (40 ℃ при 100 кГц)	Qn (кВар)
1	41	40	4.0	27	1100	1100	38	25.7
1.5	50	40	2.7	26	1000	1500	48	32.4
2	58	40	2.0	25	900	1800 рік	55	37.1
2	49	60	2.0	26	850	1700	45	30.4
3	70	40	1.3	23	750	2250	65	43.9
3	59	60	1.9	25	650	1950 рік	55	37.1
4	81	40	1.4	22	600	2400	75	50.6
4	68	60	1.4	23	550	2200	62	41.9
5	76	60	1.1	22	500	2500	70	47.3
6	83	60	0,9	21	480	2880	75	50.6

Напруга	Un 30000V.DC Urms 1200V.AC Uppeak 1700V
Cn(мкФ)	φD (мм)	L (мм)	ESR при 100 кГц (мОм))	ESL (nH)	dv/dt(В/мкс)	Ipk(A)	Irms (40 ℃ при 100 кГц)	Qn (кВар)
0,33	43	44	7.2	26	1800 рік	594	40	43.2
0,47	51	44	5.5	25	1700	799	48	51.8
0,5	53	44	4.8	25	1600	800	50	54,0
0,68	61	44	3.5	24	1500	1020	56	60.5
0,75	64	44	3.2	24	1400	1050	60	64.8
0,8	66	44	4.0	23	1350	1080	62	67,0
1	74	44	3.2	22	1300	1300	70	75.6
1.2	81	44	2.7	21	1250	1500	75	81,0
1.5	90	44	2.1	20	1200	1800 рік	80	86.4

Напруга	Un 4000V.DC Urms 1500V.AC Uppeak 2100V
Cn(мкФ)	φD (мм)	L (мм)	ESR при 100 кГц (мОм))	ESL (nH)	dv/dt(В/мкс)	Ipk(A)	Irms (40 ℃ при 100 кГц)	Qn (кВар)
0,08	46	60	10,0	28	3000	240	40	51,0
0,1	51	60	8.0	27	2850	285	45	57.4
0,12	56	60	6.6	26	2750	330	50	63.8
0,15	63	60	8.5	25	2500	375	58	74,0
0,18	64	60	7.1	25	2400	432	60	76.5
0,25	80	60	5.1	23	2200	550	75	95.6
0,33	52	60	3.9	23	2000 рік	660	48	61.2
0,47	62	60	5.1	22	1800 рік	846	58	74,0
0,5	64	60	4.8	22	1700	850	60	76.5
0,68	75	60	3.5	20	1600	1088	70	89.3
0,75	78	60	3.2	20	1500	1125	72	91.8