E-mail: info@cre-elec.com
English
  • bbb

Заводське виготовлення демпферного конденсатора для IGBT - діелектрик з низькими втратами з поліпропіленової плівки демпферний конденсатор для застосування IGBT – CRE

Заводське виготовлення демпферного конденсатора для IGBT - діелектрик з низькими втратами з поліпропіленової плівки демпферний конденсатор для застосування IGBT – CRE Featured Image
  • Заводське виготовлення демпферного конденсатора для IGBT - діелектрик з низькими втратами з поліпропіленової плівки демпферний конденсатор для застосування IGBT – CRE
  • Заводське виготовлення демпферного конденсатора для IGBT - діелектрик з низькими втратами з поліпропіленової плівки демпферний конденсатор для застосування IGBT – CRE
  • Заводське виготовлення демпферного конденсатора для IGBT - діелектрик з низькими втратами з поліпропіленової плівки демпферний конденсатор для застосування IGBT – CRE
  • Заводське виготовлення демпферного конденсатора для IGBT - діелектрик з низькими втратами з поліпропіленової плівки демпферний конденсатор для застосування IGBT – CRE

Короткий опис:


Завантажити як PDF

Деталі продукту

Теги товарів

Пов'язане відео

Відгук (2)

Добре керовані продукти, кваліфікована група доходів і кращі післяпродажні продукти та послуги;Ми також були єдиною великою сім’єю, всі люди дотримуються бізнес-ціни «об’єднання, відданість, толерантність»Конденсатор постійного струму для систем заряджання акумуляторів , Конденсатор у циліндричному пластиковому корпусі , Конденсатор з металізованої поліпропіленової плівки, Бачити вірить!Ми щиро вітаємо нових клієнтів за кордоном для створення організаційних асоціацій, а також сподіваємося консолідувати асоціації, використовуючи давно створені перспективи.
Заводське виготовлення демпферного конденсатора для IGBT - діелектрик із низькими втратами з поліпропіленової плівки демпферний конденсатор для застосування IGBT – CRE Деталі:

Серія SMJ-P

Діапазон номінальної напруги: від 1000 до 2000 В постійного струму
Діапазон ємності: від 0,1 мкФ до 3,0 мкФ
Крок монтажу: від 22,5 мм до 48 мм
Конструкція: внутрішнє послідовне з’єднання з металізованого поліпропіленового діелектрика
Застосування: захист IGBT, схеми резонансних баків

Елементи демпферного конденсатора, що самовідновлюються, сухого типу, виготовлені з використанням спеціально профільованої металізованої плівки з хвилеподібного різання, що забезпечує низьку самоіндуктивність, високу стійкість до розриву та високу надійність.Відключення через надлишковий тиск не вважається необхідним.Верхня частина конденсатора запечатана самозатухаючою екологічною епоксидною смолою.Спеціальна конструкція забезпечує дуже низьку самоіндуктивність.

IMG_0397.HEIC

Таблиця специфікацій

Напруга Un 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
Розмір (мм)
Cn (мкФ) L(±1) T(±1) H(±1) ESR при 100 кГц (мОм) ESL (nH) dv/dt (В/мкс) Ipk(A) Irms @40℃ @100KHz (A)
0,47 42.5 24.5 27.5 12 25 500 235 8
0,68 42.5 24.5 27.5 10 25 480 326.4 10
1 42.5 24.5 27.5 8 24 450 450 12
1.5 42.5 33.5 35.5 7 25 430 645 5
2 42.5 33 35.5 6 24 420 840 15
2.5 42.5 33 45 6 23 400 1000 18
3 42.5 33 45 5.5 22 380 1140 20
3 57.5 30 45 5 26 350 1050 22
3.5 42.5 33 45 5 23 350 1225 25
3.5 57.5 30 45 6 25 300 1050 22
4.7 57.5 35 50 5 28 280 1316 25
5.6 57.5 38 54 4 30 250 1400 25
6 57.5 38 54 3.5 33 230 1380 28
6.8 57.5 42.5 56 3.2 32 220 1496 32
8 57.5 42.5 56 2.8 30 200 1600 33
Напруга Un 1000V.DC,Urms500Vac;Us1500V
Розмір (мм)
Cn (мкФ) L(±1) T(±1) H(±1) ESR (мОм) ESL (nH) dv/dt(В/мкс) Ipk(A) Irms
0,47 42.5 24.5 27.5 11 25 1000 470 10
0,68 42.5 24.5 27.5 8 25 800 544 12
1 42.5 33.5 35.5 6 24 800 800 15
1.5 42.5 33 45 6 24 700 1050 15
2 42.5 33 45 5 22 700 1400 20
2.5 57.5 30 45 5 30 600 1500 22
3 57.5 35 50 4 30 600 1800 рік 25
3.3 57.5 35 50 3.5 28 550 1815 рік 25
3.5 57.5 38 54 3.5 28 500 1750 рік 25
4 57.5 38 54 3.2 26 500 2000 рік 28
4.7 57.5 42.5 56 3 25 420 1974 рік 30
5.6 57.5 42.5 56 2.8 24 400 2240 32
Напруга Un 1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
Cn (мкФ) L(±1) T(±1) H(±1) ESR (мОм) ESL (nH) dv/dt(В/мкс) Ipk(A) Irms
0,47 42.5 24.5 27.5 11 24 1200 564 10
0,68 42.5 33.5 35.5 7 23 1100 748 12
1 42.5 33.5 35.5 6 22 800 800 14
1.5 42.5 33 45 5 20 800 1200 15
2 57.5 30 45 4 30 750 1500 20
2.5 57.5 35 50 4 28 700 1750 рік 25
3 57.5 35 50 4 27 600 1800 рік 25
3.3 57.5 38 54 4 27 550 1815 рік 28
3.5 57.5 38 54 3.5 25 500 1750 рік 28
4 57.5 42.5 56 3.5 25 450 1800 рік 30
4.7 57.5 42.5 56 3.2 23 420 1974 рік 32
Напруга Un 1700V.DC,Urms575Vac;Us2250V
Cn (мкФ) L(±1) T(±1) H(±1) ESR (мОм) ESL (nH) dv/dt(В/мкс) Ipk(A) Irms
0,33 42.5 24.5 27.5 12 25 1300 429 9
0,47 42.5 24.5 27.5 10 24 1300 611 10
0,68 42.5 33.5 35.5 8 23 1300 884 12
1 42.5 33 45 7 22 1200 1200 15
1.5 42.5 33 45 6 22 1200 1800 рік 18
1.5 57.5 30 45 5 31 1200 1800 рік 20
2 57.5 30 45 5 30 1100 2200 22
2.5 57.5 35 50 4 28 1100 2750 25
3 57.5 38 54 4 27 700 2100 25
3.3 57.5 38 54 3.8 26 600 1980 рік 28
3.5 57.5 42.5 56 3.5 25 500 1750 рік 30
4 57.5 42.5 56 3.2 25 450 1800 рік 32
Напруга Un 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
Cn (мкФ) L(±1) T(±1) H(±1) ESR (мОм) ESL (nH) dv/dt(В/мкс) Ipk(A) Irms
0,22 42.5 24.5 27.5 15 25 1500 330 10
0,33 42.5 33.5 35.5 12 24 1500 495 12
0,47 42.5 33.5 35.5 11 23 1400 658 15
0,68 42.5 33 45 8 22 1200 816 18
0,68 57.5 30 45 7 30 1100 748 20
0,82 42.5 33 45 7 28 1200 984 22
1 57.5 30 45 6 28 1100 1100 25
1.5 57.5 35 50 5 25 1000 1500 28
2 57.5 38 54 5 24 800 1600 28
2.2 57.5 42.5 56 4 23 700 1540 32
Напруга Un 3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
Cn (мкФ) L(±1) T(±1) H(±1) ESR (мОм) ESL (nH) dv/dt(В/мкс) Ipk(A) Irms
0,15 42.5 33 45 18 28 2500 375 25
0,22 42.5 33 45 15 27 2200 484 28
0,22 57.5 35 50 15 25 2000 рік 330 20
0,33 57.5 35 50 12 24 1800 рік 495 20
0,47 57.5 38 54 11 23 1600 752 22
0,68 57.5 42.5 56 8 22 1500 1020 28
Зображення деталей продукту:

Заводське виготовлення демпферного конденсатора для IGBT - діелектрик з низькими втратами з поліпропіленової плівки демпферний конденсатор для застосування IGBT – детальні зображення CRE

Заводське виготовлення демпферного конденсатора для IGBT - діелектрик з низькими втратами з поліпропіленової плівки демпферний конденсатор для застосування IGBT – детальні зображення CRE

Заводське виготовлення демпферного конденсатора для IGBT - діелектрик з низькими втратами з поліпропіленової плівки демпферний конденсатор для застосування IGBT – детальні зображення CRE

Заводське виготовлення демпферного конденсатора для IGBT - діелектрик з низькими втратами з поліпропіленової плівки демпферний конденсатор для застосування IGBT – детальні зображення CRE

Посібник із відповідного продукту:
дотримуватися контракту", відповідає вимогам ринку, приєднується до ринкової конкуренції завдяки своїй вищій якості, а також забезпечує набагато більш комплексну та чудову компанію для покупців, щоб дозволити їм стати великим переможцем. Переслідування корпорації, безумовно, - це клієнти ' задоволення для фабричного виготовлення демпферного конденсатора для Igbt - діелектрика з низькими втратами з поліпропіленової плівки демпферного конденсатора для застосування IGBT – CRE , Продукт поставлятиметься в усьому світі, наприклад: Прованс, Осло, Еквадор, незалежно від того, вибираєте поточний продукт із нашого каталогу або шукати технічної допомоги для вашої програми, ви можете поговорити з нашим центром обслуговування клієнтів про ваші вимоги до джерел. Ми можемо надати гарну якість за конкурентоспроможною ціною особисто для вас.
    • Обладнання фабрики є передовим у галузі, і продукт високої якості, крім того, ціна дуже низька, співвідношення ціни та якості! 5 зірок Сабріна зі Словаччини - 2017.08.28 16:02
    Менеджер з продажу має хороший рівень англійської мови та кваліфіковані професійні знання, у нас гарне спілкування.Він теплий і веселий чоловік, у нас приємна співпраця, і ми стали дуже хорошими друзями наодинці. 5 зірок Майк з Ангільї - 2018.09.08 17:09

    Надішліть нам своє повідомлення:

    Напишіть своє повідомлення тут і надішліть його нам

    Категорії товарів

    Надішліть нам своє повідомлення: