E-mail: info@cre-elec.com
English
  • ббб

Заводське виробництво демпферних конденсаторів для IgBT - низьковтратний діелектрик з поліпропіленової плівки. Демпферний конденсатор для застосування в IGBT – CRE

Заводське виробництво демпферного конденсатора для IgBT - діелектрик з низькими втратами з поліпропіленової плівки. Демпферний конденсатор для застосування в IGBT – зображення CRE.
  • Заводське виробництво демпферних конденсаторів для IgBT - низьковтратний діелектрик з поліпропіленової плівки. Демпферний конденсатор для застосування в IGBT – CRE
  • Заводське виробництво демпферних конденсаторів для IgBT - низьковтратний діелектрик з поліпропіленової плівки. Демпферний конденсатор для застосування в IGBT – CRE
  • Заводське виробництво демпферних конденсаторів для IgBT - низьковтратний діелектрик з поліпропіленової плівки. Демпферний конденсатор для застосування в IGBT – CRE
  • Заводське виробництво демпферних конденсаторів для IgBT - низьковтратний діелектрик з поліпропіленової плівки. Демпферний конденсатор для застосування в IGBT – CRE

Короткий опис:


Завантажити як PDF

Деталі продукту

Теги продукту

Пов’язане відео

Відгуки (2)

Інновації, відмінність та надійність – основні цінності нашої компанії. Ці принципи сьогодні, як ніколи раніше, формують основу нашого успіху як міжнародно активного середнього бізнесу.Конденсатор постійного струму для автомобільного застосування , Конденсатори постійного струму в перетворювачах потужності , Високовольтний поліпропіленовий плівковий конденсаторМи надаємо пріоритет якості та задоволенню потреб клієнтів, тому дотримуємося суворих заходів контролю якості. У нас є власні випробувальні центри, де наші продукти перевіряються за всіма аспектами на різних етапах обробки. Завдяки новітнім технологіям ми забезпечуємо нашим клієнтам індивідуальне виробництво.
Заводське виробництво демпферних конденсаторів для IgBT - низьковтратний діелектрик з поліпропіленової плівки. Демпферний конденсатор для застосування в IGBT – деталі CRE:

Серія SMJ-P

Номінальний діапазон напруги: від 1000 В постійного струму до 2000 В постійного струму
Діапазон ємності: від 0,1 мкФ до 3,0 мкФ
Крок кріплення: від 22,5 мм до 48 мм
Конструкція: Металізований поліпропіленовий діелектрик, внутрішнє послідовне з'єднання
Застосування: Захист IGBT, резонансні схеми

Самовідновлювальні елементи конденсаторів сухого типу з демпфером виготовляються з використанням спеціально профільованої хвилеподібно нарізаної металізованої поліпропіленової плівки, що забезпечує низьку самоіндуктивність, високу стійкість до розриву та високу надійність. Відключення від надлишкового тиску не вважається необхідним. Верхня частина конденсатора герметизована самозатухаючою екологічно чистою епоксидною смолою. Спеціальна конструкція забезпечує дуже низьку самоіндуктивність.

IMG_0397.HEIC

Таблиця специфікацій

Напруга Un 700 В постійного струму, Urms 400 В змінного струму; Us 1050 В
Розмір (мм)
Cn(мкФ) Л(±1) Т(±1) Н(±1) ESR при 100 кГц (мОм) ESL(нГн) dv/dt (В/мкСм) Іпк(А) Irms @40℃ @100 кГц (А)
0,47 42,5 24,5 27,5 12 25 500 235 8
0,68 42,5 24,5 27,5 10 25 480 326.4 10
1 42,5 24,5 27,5 8 24 450 450 12
1.5 42,5 33,5 35,5 7 25 430 645 5
2 42,5 33 35,5 6 24 420 840 15
2.5 42,5 33 45 6 23 400 1000 18
3 42,5 33 45 5.5 22 380 1140 20
3 57,5 30 45 5 26 350 1050 22
3.5 42,5 33 45 5 23 350 1225 25
3.5 57,5 30 45 6 25 300 1050 22
4.7 57,5 35 50 5 28 280 1316 25
5.6 57,5 38 54 4 30 250 1400 25
6 57,5 38 54 3.5 33 230 1380 28
6.8 57,5 42,5 56 3.2 32 220 1496 32
8 57,5 42,5 56 2.8 30 200 1600 33
Напруга Un 1000 В постійного струму, Urms 500 В змінного струму; Us 1500 В
Розмір (мм)
Cn(мкФ) Л(±1) Т(±1) Н(±1) ESR (мОм) ESL(нГн) dv/dt(В/мкСм) Іпк(А) Ірмс
0,47 42,5 24,5 27,5 11 25 1000 470 10
0,68 42,5 24,5 27,5 8 25 800 544 12
1 42,5 33,5 35,5 6 24 800 800 15
1.5 42,5 33 45 6 24 700 1050 15
2 42,5 33 45 5 22 700 1400 20
2.5 57,5 30 45 5 30 600 1500 22
3 57,5 35 50 4 30 600 1800 рік 25
3.3 57,5 35 50 3.5 28 550 1815 рік 25
3.5 57,5 38 54 3.5 28 500 1750 рік 25
4 57,5 38 54 3.2 26 500 2000 рік 28
4.7 57,5 42,5 56 3 25 420 1974 рік 30
5.6 57,5 42,5 56 2.8 24 400 2240 32
Напруга Un 1200 В постійного струму, Urms 550 В змінного струму; Us 1800 В
Cn(мкФ) Л(±1) Т(±1) Н(±1) ESR (мОм) ESL(нГн) dv/dt(В/мкСм) Іпк(А) Ірмс
0,47 42,5 24,5 27,5 11 24 1200 564 10
0,68 42,5 33,5 35,5 7 23 1100 748 12
1 42,5 33,5 35,5 6 22 800 800 14
1.5 42,5 33 45 5 20 800 1200 15
2 57,5 30 45 4 30 750 1500 20
2.5 57,5 35 50 4 28 700 1750 рік 25
3 57,5 35 50 4 27 600 1800 рік 25
3.3 57,5 38 54 4 27 550 1815 рік 28
3.5 57,5 38 54 3.5 25 500 1750 рік 28
4 57,5 42,5 56 3.5 25 450 1800 рік 30
4.7 57,5 42,5 56 3.2 23 420 1974 рік 32
Напруга Un 1700 В постійного струму, Urms 575 В змінного струму; Us 2250 В
Cn(мкФ) Л(±1) Т(±1) Н(±1) ESR (мОм) ESL(нГн) dv/dt(В/мкСм) Іпк(А) Ірмс
0,33 42,5 24,5 27,5 12 25 1300 429 9
0,47 42,5 24,5 27,5 10 24 1300 611 10
0,68 42,5 33,5 35,5 8 23 1300 884 12
1 42,5 33 45 7 22 1200 1200 15
1.5 42,5 33 45 6 22 1200 1800 рік 18
1.5 57,5 30 45 5 31 1200 1800 рік 20
2 57,5 30 45 5 30 1100 2200 22
2.5 57,5 35 50 4 28 1100 2750 25
3 57,5 38 54 4 27 700 2100 25
3.3 57,5 38 54 3.8 26 600 1980 рік 28
3.5 57,5 42,5 56 3.5 25 500 1750 рік 30
4 57,5 42,5 56 3.2 25 450 1800 рік 32
Напруга Un 2000 В постійного струму, Urms 700 В змінного струму; Us 3000 В
Cn(мкФ) Л(±1) Т(±1) Н(±1) ESR (мОм) ESL(нГн) dv/dt(В/мкСм) Іпк(А) Ірмс
0,22 42,5 24,5 27,5 15 25 1500 330 10
0,33 42,5 33,5 35,5 12 24 1500 495 12
0,47 42,5 33,5 35,5 11 23 1400 658 15
0,68 42,5 33 45 8 22 1200 816 18
0,68 57,5 30 45 7 30 1100 748 20
0,82 42,5 33 45 7 28 1200 984 22
1 57,5 30 45 6 28 1100 1100 25
1.5 57,5 35 50 5 25 1000 1500 28
2 57,5 38 54 5 24 800 1600 28
2.2 57,5 42,5 56 4 23 700 1540 32
Напруга Un 3000 В постійного струму, Urms 750 В змінного струму; Us 4500 В
Cn(мкФ) Л(±1) Т(±1) Н(±1) ESR (мОм) ESL(нГн) dv/dt(В/мкСм) Іпк(А) Ірмс
0,15 42,5 33 45 18 28 2500 375 25
0,22 42,5 33 45 15 27 2200 484 28
0,22 57,5 35 50 15 25 2000 рік 330 20
0,33 57,5 35 50 12 24 1800 рік 495 20
0,47 57,5 38 54 11 23 1600 752 22
0,68 57,5 42,5 56 8 22 1500 1020 28
Зображення деталей продукту:

Заводське виробництво демпферних конденсаторів для IgBT - діелектрик з низькими втратами з поліпропіленової плівки. Демпферний конденсатор для застосування в IGBT - детальні фотографії CRE

Заводське виробництво демпферних конденсаторів для IgBT - діелектрик з низькими втратами з поліпропіленової плівки. Демпферний конденсатор для застосування в IGBT - детальні фотографії CRE

Заводське виробництво демпферних конденсаторів для IgBT - діелектрик з низькими втратами з поліпропіленової плівки. Демпферний конденсатор для застосування в IGBT - детальні фотографії CRE

Заводське виробництво демпферних конденсаторів для IgBT - діелектрик з низькими втратами з поліпропіленової плівки. Демпферний конденсатор для застосування в IGBT - детальні фотографії CRE

Посібник із суміжних продуктів:
Ми ставимо собі за цілі «клієнтоорієнтацію, орієнтацію на якість, інтеграцію та інновації». «Правда та чесність» – це наш ідеальний управлінський принцип для заводського виробництва демпферних конденсаторів для IgBT – поліпропіленової плівки з низькими втратами діелектрика. Демпферні конденсатори для IGBT-приладів – CRE. Продукт постачатиметься по всьому світу, наприклад: Гана, Гаїті, Бразиліа. Наша продукція широко визнана та користується довірою користувачів і може задовольнити постійно мінливі економічні та соціальні потреби. Ми раді вітати нових та постійних клієнтів з усіх верств суспільства для майбутніх ділових відносин та взаємного успіху!
    • Якість продукції хороша, система забезпечення якості повна, кожна ланка може своєчасно звернутися та вирішити проблему! 5 зірок Яннік Вергоз з Оману - 28.09.2017 18:29
    Дотримуючись бізнес-принципу взаємної вигоди, ми маємо щасливу та успішну угоду, ми вважаємо, що будемо найкращим діловим партнером. 5 зірок Від Гейл з Каїра - 2018.11.11 19:52

    Надішліть нам своє повідомлення:

    Напишіть своє повідомлення тут і надішліть його нам

    Категорії продуктів

    Надішліть нам своє повідомлення: