E-mail: info@cre-elec.com
English
  • ббб

Китайські оптові високопродуктивні фільтруючі конденсатори змінного струму - осьові демпферні конденсатори GTO – CRE

Китайські оптові високопродуктивні фільтруючі конденсатори змінного струму - осьові демпферні конденсатори GTO – зображення CRE
  • Китайські оптові високопродуктивні фільтруючі конденсатори змінного струму - осьові демпферні конденсатори GTO – CRE
  • Китайські оптові високопродуктивні фільтруючі конденсатори змінного струму - осьові демпферні конденсатори GTO – CRE
  • Китайські оптові високопродуктивні фільтруючі конденсатори змінного струму - осьові демпферні конденсатори GTO – CRE

Короткий опис:


Завантажити як PDF

Деталі продукту

Теги продукту

Пов’язане відео

Відгуки (2)

Ми покладаємося на міцну технічну базу та постійно створюємо складні технології, щоб задовольнити потребиВисоковольтний електронний конденсатор , Індукційний нагрівальний конденсатор з низькими втратами потужності , Конденсатор змінного струму для покращення якості та надійності електроенергіїОдним словом, обираючи нас, ви обираєте ідеальне життя. Ласкаво просимо відвідати наш завод і раді вашим замовленням! Для отримання додаткової інформації, будь ласка, не соромтеся звертатися до нас.
Китайські оптові високопродуктивні фільтруючі конденсатори змінного струму - осьові демпферні конденсатори GTO – CRE.

Технічні дані

Діапазон робочих температур Макс. робоча температура, верхня, макс.: + 85℃ Температура вищої категорії: +85℃ Температура нижчої категорії: -40℃
діапазон ємності 0,1 мкФ～5,6 мкФ
Номінальна напруга

630 В постійного струму～2000 В постійного струму
Кап.тол

±5% (Дж); ±10% (К)
Витримувати напругу

1,5 ун постійного струму/10 с
Коефіцієнт дисипації

tgδ≤0,0005 C≤1 мкФ f=10 кГц

tgδ≤0,001 C≥1 мкФ f=10 кГц
Опір ізоляції

C≤0,33 мкФ RS≥15000 МОм (при 20℃ 100 В постійного струму 60 С)

C＞0,33 мкФ RS*C≥5000S (при 20℃ 100 В постійного струму 60S)
Витримувати ударний струм
Тривалість життя

100000 год (Un; Θгаряча точка≤85°C)
Довідковий стандарт

ІЕК 61071; ІЕК 61881; GB/T17702

Застосування

1. Демпфер IGBT.

2. Широко використовується в силовому електронному обладнанні, коли пікова напруга, захист від поглинання пікового струму.

Контурний малюнок

 

1

 

 

 

 

Осьовий конденсатор SMJ-TE
Напруга Un630 В постійного струму; Urms400 В змінного струму; Us 945 В
Ємність (мкФ) L (мм±1) Т (мм±1) H (мм±1) φd (мм) ESR при 100 кГц (мОм) ESL(нГн) dv/dt(В/мкСм) Іпк(А) Irms @25℃ @100 кГц (А)
0,22 32 9.5 17,5 0,8 16 23 300 66 5.3
0,33 32 12 20 1 13 22 200 66 6.5
0,47 32 14,5 22,5 1 11 21 220 103,4 8.3
0,68 32 18 26 1 10 20 180 122,4 9.5
1 37 11 19 1 8 28 150 150 7.6
1.5 37 13.5 21,5 1 7 27 150 225 9.5
2 37 16 24 1.2 6 24 130 260 10.2
2.5 37 18 26 1.2 5.5 25 120 300 10.5
3 37 20 28 1.2 5 30 110 330 10.8
3.3 37 21 29 1.2 4.5 30 110 363 11.2
4 57 27 36,5 1.2 4.2 32 220 880 12.8
4.7 57 28 40,5 1.2 3.8 32 200 940 13.8
5.6 57 31 33,5 1.2 3.5 32 185 1036 13.5
6.8 37 29 41,5 1.2 2.5 28 100 680 13.8
6.8 57 34 46,5 1.2 2.8 30 180 1224 14.2

 

Напруга Un 1000 В постійного струму; Urm 500 В змінного струму; Us 1500 В
Ємність (мкФ) L (мм±1) Т (мм±1) H (мм±1) φd (мм) ESR при 100 кГц (мОм) ESL(нГн) dv/dt(В/мкСм) Іпк(А) Irms @25℃ @100 кГц (А)
0,15 32 10 17,5 0,8 20 20 1100 165 5.5
0,22 32 12 20 1 15 21 1000 220 7.3
0,33 32 15,5 23 1 13 21 1000 330 8.7
0,47 32 18,5 26 1.2 10 23 1000 470 10.5
0,47 44 14 22 1.2 9 24 900 423 9.5
0,68 32 20 32,5 1.2 7 25 900 612 10.8
0,68 44 17 25 1.2 6 26 800 544 10.2
1 44 21,5 29,5 1.2 5.6 27 900 900 11
1.5 44 26 35,5 1.2 5 29 900 1350 12
1.5 57 21 29 1.2 5 30 700 1050 12.2
2 44 28 40,5 1.2 4.8 30 800 1600 13.2
2 57 24 33,5 1.2 4.8 32 600 1200 12.8
2.2 44 30 42,5 1.2 4.2 32 600 1320 13.8
2.2 57 25 34,5 1.2 4.2 32 500 1100 13.5
2.5 57 25 38 1.2 4 33 500 1250 14.2
3 57 28 40,5 1.2 3.5 34 480 1440 15.6
3.3 57 29,5 42 1.2 3.2 35 450 1485 16,5
3.5 57 30,5 43 1.2 3.2 35 450 1575 17.2
4.7 57 35 50,5 1.2 3 36 420 1974 рік 17.8
5.6 57 38,5 65 1.2 2.8 38 400 2240 18.2

 

Напруга Un 1200 В постійного струму; Urm 550 В змінного струму; Us 1800 В
Ємність (мкФ) L (мм±1) Т (мм±1) H (мм±1) φd (мм) ESR при 100 кГц (мОм) ESL(нГн) dv/dt(В/мкСм) Іпк(А) Irms @25℃ @100 кГц (А)
0,1 32 8.5 16 0,8 20 20 1300 130 6
0,15 32 10 17,5 1 18 20 1200 180 7.5
0,22 32 13 21 1 15 22 1200 264 8.3
0,33 32 16 24 1 12 23 1200 396 9
0,47 32 17,5 30 1.2 10 23 1200 564 9.5
0,47 44 15 23 1.2 9 26 1100 517 9.8
0,68 32 21,5 34 1.2 8 25 1100 517 10
0,68 44 18,5 26,5 1.2 6 27 1000 680 11.7
1 44 23 31 1.2 5 28 1000 1000 12.4
1.5 44 26,5 39 1.2 5 30 950 1425 13.5
1.5 57 22,5 30,5 1.2 5 29 900 1350 12.6
2 44 29 45 1.2 5 30 800 1600 14.2
2 57 26,5 34,5 1.2 4.8 30 750 1500 13.8
2.2 44 31 47 1.2 4.2 32 800 1760 рік 14,5
2.2 57 27,5 35,5 1.2 4.2 35 700 1540 14,5
3 57 29 44,5 1.2 3.2 37 500 1500 17.2
3.3 57 30,5 46 1.2 3.2 38 450 1485 17.8
4.7 57 38 53,5 1.2 3 38 420 1974 рік 18.2

 

Напруга Un 1700 В постійного струму; Urm 600 В змінного струму; Us 2550 В
Ємність (мкФ) L (мм±1) Т (мм±1) H (мм±1) φd (мм) ESR при 100 кГц (мОм) ESL(нГн) dv/dt(В/мкСм) Іпк(А) Irms @25℃ @100 кГц (А)
0,1 32 9.5 17,5 0,8 18 25 1300 130 7.5
0,15 32 12 20 1 16 24 1200 180 8.5
0,22 32 15 23 1 15 24 1200 264 9.3
0,33 32 18,5 26,5 1 12 22 1200 396 9.9
0,33 44 13.5 21,5 1.2 12 29 1100 363 10.2
0,47 44 16 24 1.2 9 28 1000 470 11.2
0,68 44 20 28 1.2 8 27 1000 680 11.7
1 44 24 33,5 1.2 5.6 26 900 900 12.4
1 57 19,5 27,5 1.2 6 33 850 850 10.8
1.5 44 28 40,5 1.2 4.8 25 800 1200 13.5
1.5 57 24 32 1.2 5 33 750 1125 13.5
2 44 31,5 47 1.2 4.5 24 750 1500 14.2
2 57 27,5 37 1.2 4.8 32 650 1300 12.8
2.2 44 33,5 49 1.2 4.5 34 700 1540 15.6
2.2 57 29 40 1.2 4.2 32 600 1320 14,5
3 57 31 46,5 1.2 4 30 560 1680 рік 17.2
3.3 57 33 48,5 1.2 3.2 29 500 1650 рік 17.6
4 57 37 52,5 1.2 3 28 450 1800 рік 18.2

 

Напруга Un 2000 В постійного струму; Urm 700 В змінного струму; Us 3000 В
Ємність (мкФ) L (мм±1) Т (мм±1) H (мм±1) φd (мм) ESR при 100 кГц (мОм) ESL(нГн) dv/dt(В/мкСм) Іпк(А) Irms @25℃ @100 кГц (А)
0,068 32 9 17 0,8 25 23 1500 102 6.9
0,1 32 11.5 19,5 1 18 22 1500 150 8.2
0,1 37 10.5 18,5 1 18 26 1450 145 8
0,22 32 17,5 25,5 1.2 15 21 1400 308 9.1
0,22 37 16 24 1.2 15 25 1300 286 9
0,33 37 20 28 1.2 12 24 1250 412.5 9.5
0,33 44 18 26 1.2 12 30 1200 396 10.2
0,47 44 19,5 32 1.2 10 29 1100 517 12.4
0,68 44 24 36,5 1.2 8 28 1000 680 14.2
0,68 57 18,5 31 1.2 8 27 900 612 14.2
1 57 23,5 36 1.2 6 31 950 950 14,5
1.5 57 29,5 42 1.2 5 31 850 1275 14,5
2 57 33 48,5 1.2 4.2 31 750 1500 16,5
2.2 57 35 50,5 1.2 4 30 700 1540 17.8

 

Напруга Un 3000 В постійного струму; Urm 750 В змінного струму; Us 4500 В
Ємність (мкФ) L (мм±1) Т (мм±1) H (мм±1) φd (мм) ESR при 100 кГц (мОм) ESL(нГн) dv/dt(В/мкСм) Іпк(А) Irms @25℃ @100 кГц (А)
0,047 44 13.5 21,5 1 22 20 2000 рік 94 8.5
0,068 44 17 25 1 20 20 1800 рік 122,4 10.5
0,1 44 20,5 28,5 1.2 18 20 1500 150 12.4
0,15 44 26 34 1.2 16 22 1350 202,5 13.8
0,22 44 29 41,5 1.2 14,5 22 1200 264 14,5
Зображення деталей продукту:

Китайські оптові високопродуктивні фільтруючі конденсатори змінного струму - осьові демпферні конденсатори GTO – детальні фотографії CRE

Китайські оптові високопродуктивні фільтруючі конденсатори змінного струму - осьові демпферні конденсатори GTO – детальні фотографії CRE

Китайські оптові високопродуктивні фільтруючі конденсатори змінного струму - осьові демпферні конденсатори GTO – детальні фотографії CRE

Посібник із суміжних продуктів:
Добре керовані пристрої, експертна група з прибутковості та кращі компанії післяпродажного обслуговування; Ми також є єдиною великою родиною, кожен з яких продовжує підтримувати організацію, цінну «єдність, рішучість, толерантність» для китайських оптових високопродуктивних фільтруючих конденсаторів змінного струму - осьових демпферних конденсаторів GTO – CRE. Продукт постачатиметься по всьому світу, наприклад: Естонія, Австралія, Молдова. Вся наша продукція відповідає міжнародним стандартам якості та високо цінується на різних ринках світу. Якщо ви зацікавлені в будь-якій з наших продуктів або хочете обговорити індивідуальне замовлення, будь ласка, зв'яжіться з нами. Ми з нетерпінням чекаємо на встановлення успішних ділових відносин з новими клієнтами найближчим часом.
    • Ми невелика компанія, яка щойно розпочала свою діяльність, але вже привернула увагу керівництва компанії та надала нам багато допомоги. Сподіваємося, що разом ми зможемо досягти прогресу! 5 зірок Від Емі з Сіднея - 28.09.2017 18:29
    Технічний персонал заводу не лише має високий рівень технологій, але й володіє англійською мовою на дуже хорошому рівні, що дуже допомагає в комунікації в галузі технологій. 5 зірок Від Жана Ашера з Норвегії - 2018.09.21 11:44

    Надішліть нам своє повідомлення:

    Напишіть своє повідомлення тут і надішліть його нам

    Категорії продуктів

    Надішліть нам своє повідомлення: